顯然這個解決方法包括兩個橋即主橋AMNB和輔橋AMPB或ANPB同時平衡。通過檢測器從一個橋轉換到另一個橋逐次地逼近平衡而最終達到二者平衡。
壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端M和N的各根導線之間電容。
在高壓電橋中電容CN通常是固定的，比較容易采用替代法。由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加。
也因為在低頻下正是高電壓技術特別對電介質損耗關注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數量級上相差很多。
電源電壓直接加到一個繞組上，另一個繞組則起變壓器次級繞組的作用。將電源加到初級繞組上。
漏導損耗又稱電導損耗。實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質，在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導電流，漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實際的電介質總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。
在理想電橋中比例U1/U2是一個系數K，這樣，實際上ZM的輻角直接給出。變壓器電橋比西林電橋有很大的優點。
一些介質在電場極化時也會產生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩定所需時間很短（約為10-16～10-12s），這在無線電頻率（5×1012Hz 以下）范圍均可認為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場作用下，需經過較長時間（10-10s或更長）才達到穩定狀態，因此會引起能量的損耗。
在結構緊密的陶瓷中，介質損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結構松散，生成了缺固濟體、多品型轉變等。 [3]
當電容CX和CN不平衡時尤為顯著，帶瓦格納（Wagner）接地電路的西林電橋，圖A。2示出了使電橋測量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。
結果絕大部分電壓都施加在電容CX和CN上，使電壓分配不平衡，上面給出的電橋平衡條件只是當低壓元件對高壓元件屏蔽時才成立。
這種方法是通過使用外接輔助橋臂ZA、ZB（瓦格納接地電路），并使這兩個輔助橋臂的中間點P接到屏蔽并接地。
比西林電橋使用的頻率范圍寬，由于頻率范圍的不同，橋的具體結構也不相同。低頻電橋，通常是一個高壓電橋。
這在電子設備中是常有的，然而這樣的檢測器只要接地輸入端總是連接于P點，就能與裝有瓦格納接地線路的電橋一起使用。
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗，其介電常數約為2，介質損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗，并且極性愈大，這兩個值愈高。
陶瓷材料的損耗
復電抗ZX和ZM之間的比值等于電壓矢量U1和U2間的比值。如果電壓矢量的比值是已知的，便可從已知的ZM推導出ZX。
只有當電源的兩端可以對地絕緣時才使用上述特殊的解決方法，如果不可能對地絕緣，則必須使用更復雜裝置雙屏蔽電橋。 若外加頻率較低，介質中所有的極化都能完全跟上外電場變化，則不產生極化損耗。若外加頻率較高時，介質中的極化跟不上外電場變化，于是產生極化損耗。 [2]
變壓器電橋電感比例臂電橋概述，這種電橋的原理比西林電橋簡單，其結構原理見圖A.3.當電橋平衡時。
1）漏導損耗
2）極化損耗
用這種方法精度可以提高一個數量級，這時，實際上該精度只決定于電橋元件的精密度。必須指出。
更精密，電壓是U1高壓，U2是中壓，這種電橋的技術與變壓器的技術有關。可采用兩類電源；
同時屏蔽必須接地，以保證平衡穩定。屏蔽與使用被保護的電容CX和CN是一致的，這個保護對于CN來說是必不可少的。
復雜玻璃中的介質損耗主要包括三個部分：電導耗、松弛損耗和結構損耗。哪一種損耗占優勢，取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下，電導損耗占優勢：在高頻下，主要的是由弱聯系離子在有限范圍內移動造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結構損耗，其損耗機理還不清楚，可能與結構的緊密程度有關。般來說，簡單玻璃的損耗是很小的，這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規則的排列，結構緊密，沒有弱聯系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數規律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結構后，使離子所在處點陣受到破壞，結構變得松散，離子活動性增大，造成電導損耗和松弛損耗增加。
調節輔助橋臂實際為ZB以使在ZA和ZB上的電壓分別與電橋的電容臂和測量臂兩端的電壓相等。
高聚物的凝聚態結構及力學狀態對介電性景響也很大。結品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質損耗隨結晶度升高而下降。
因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路，關于檢測器的說明，當西林電橋的B點接地時，必須避免檢測器的不對稱輸入。
高頻西林電橋，這種電橋通常在中等的電壓下工作，是比較靈活方便的一種電橋；通常電容CN是可變的。
此電容承受跨接測量臂兩端的電壓，這樣會引入一個通常使的測量精度限于0.1%數量級的誤差。
各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質損耗的原因是多方面的，所以介質損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：
在介質發生緩慢極化時（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。
高聚物的交聯通常能阻礙極性基團的取向，因此熱固性高聚物的介電常數和介質損耗均隨交聯度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強，但只要固化比較完全，它的介質損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動能力增強，介電常數和介質損耗均增大。
它允許將屏蔽和保護電極直接接地且不需要附加的輔助橋臂。這種電橋可在從工頻倒數十MHz的頻率范圍內使用。
由于選擇不同的接地方法，實際上形成了兩類電橋。帶屏蔽的簡單西林電橋，橋的B點在測量臂邊的電源接線端子與屏蔽相連并接地。
陶瓷材料的介質損耗主要來源于電導損耗、松弛質點的極化損耗和結構損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。
|
